SK Hynix Investasi US$38 Miliar untuk Perluas Pabrik Memori

4 hours ago 5

Selular.ID – SK hynix menyetujui investasi senilai 54,3 triliun won atau sekitar US$38,3 miliar untuk memperluas kapasitas produksi semikonduktor di Korea Selatan hingga 2031.

Investasi tersebut diarahkan untuk pembangunan fasilitas baru di Yongin dan Cheongju, yang akan memproduksi memori DRAM dan NAND untuk memenuhi kebutuhan semikonduktor, termasuk yang berkaitan dengan infrastruktur kecerdasan buatan (AI).

Rencana investasi itu mencakup 35,2 triliun won untuk pembangunan fase kedua fasilitas manufaktur chip di kawasan semikonduktor Yongin serta 19,1 triliun won untuk fasilitas M17 di Cheongju.

SK hynix menargetkan fasilitas-fasilitas tersebut mulai memasuki tahapan produksi pada periode 2028–2029, setelah proses pembangunan dan persiapan cleanroom selesai.

Keputusan tersebut datang ketika kebutuhan memori berperforma tinggi meningkat seiring ekspansi pusat data dan sistem AI. SK hynix sendiri telah mengidentifikasi pertumbuhan permintaan sebagai alasan penting untuk memperluas kapasitas produksi.

Pada Juli 2026, Presiden dan CEO SK hynix Kwak Noh-jung menyebut peningkatan permintaan dan kondisi pasokan sebagai alasan perlunya ekspansi kapasitas, khususnya untuk NAND di Cheongju.

Tonton juga:

Video Rekomendasi Untuk Anda

Yongin Fokus pada DRAM dan HBM

Fasilitas kedua di kawasan Yongin, yang disebut Y2, akan menjadi bagian dari rencana pengembangan cluster semikonduktor Yongin. Fasilitas tersebut akan memproduksi produk DRAM generasi lanjut, termasuk High Bandwidth Memory (HBM).

HBM merupakan jenis memori berbandwidth tinggi yang digunakan bersama prosesor komputasi berperforma tinggi. Teknologi ini menjadi komponen penting dalam sistem AI karena dapat memasok data dalam jumlah besar ke prosesor dengan kecepatan tinggi.

SK hynix menjadwalkan pembangunan Y2 dimulai pada Juli 2027. Cleanroom pertama ditargetkan siap pada Juni 2029. Fasilitas ini merupakan pabrik kedua dari empat fasilitas manufaktur yang direncanakan dalam kawasan Yongin. Sementara itu, cleanroom pertama dari fasilitas Yongin tahap awal dijadwalkan mulai beroperasi pada Februari 2027.

Ekspansi kapasitas tersebut melanjutkan pembangunan ekosistem produksi memori SK hynix di Korea Selatan. Yongin diproyeksikan menjadi salah satu pusat manufaktur utama perusahaan untuk teknologi memori generasi baru.

Fokus terhadap HBM juga berkaitan dengan meningkatnya kebutuhan memori untuk AI. Pada Juni 2026, SK hynix dan NVIDIA mengumumkan kemitraan teknologi multiyear untuk mengembangkan memori generasi berikutnya yang selaras dengan roadmap infrastruktur AI NVIDIA.

Dalam kerja sama tersebut, SK hynix dan NVIDIA juga akan menggunakan AI dalam proses desain dan manufaktur semikonduktor. Keduanya berencana memanfaatkan pustaka CUDA-X dan NVIDIA PhysicsNeMo untuk mempercepat simulasi semikonduktor serta proses engineering.

M17 Cheongju Dipersiapkan untuk NAND

Sementara fasilitas M17 di Cheongju akan difokuskan pada produksi NAND flash. Berbeda dengan DRAM yang banyak digunakan sebagai memori kerja, NAND merupakan jenis memori non-volatil yang menyimpan data meskipun perangkat tidak mendapatkan daya.

Teknologi NAND digunakan dalam berbagai produk penyimpanan, termasuk SSD untuk komputer, server, dan pusat data. Perkembangan kebutuhan penyimpanan dalam sistem AI turut meningkatkan pentingnya kapasitas NAND berperforma tinggi.

Pembangunan M17 dijadwalkan dimulai pada Februari 2027, sedangkan cleanroom pertamanya ditargetkan siap pada Desember 2028.

Rencana tersebut sejalan dengan pengumuman SK hynix pada Juli mengenai investasi lebih luas di kawasan Chungcheong.

Ketika itu, perusahaan mengumumkan rencana investasi total 100 triliun won di Cheongju, termasuk pembangunan M17 untuk produksi NAND serta fasilitas P&T7 untuk advanced packaging. SK hynix menyatakan kawasan tersebut akan dikembangkan sebagai pusat inovasi semikonduktor AI.

Advanced packaging menjadi semakin penting dalam pengembangan chip AI karena memungkinkan integrasi berbagai komponen semikonduktor dalam satu sistem dengan koneksi berkecepatan tinggi.

Teknologi tersebut juga berkaitan erat dengan pengembangan HBM dan prosesor komputasi generasi baru.

Permintaan Memori AI Dorong Ekspansi

Investasi SK hynix terjadi di tengah perubahan struktur permintaan semikonduktor memori. Pembangunan pusat data untuk AI membutuhkan kombinasi prosesor komputasi dan memori berkapasitas serta bandwidth tinggi.

SK hynix sebelumnya menyatakan bahwa peningkatan investasi pada server AI dan permintaan memori berperforma tinggi dari pusat data menjadi faktor penting yang membentuk kondisi industri memori pada 2026.

Perusahaan melihat perkembangan infrastruktur AI sebagai salah satu pendorong utama permintaan memori.

Kemitraan dengan NVIDIA juga memperlihatkan arah tersebut. Selain HBM untuk sistem AI, SK hynix dan NVIDIA mengembangkan memori untuk sejumlah platform AI generasi berikutnya, termasuk NVIDIA Vera Rubin, Vera CPU, RTX Spark, dan Jetson Thor.

Di sisi produksi, pembangunan fasilitas baru membutuhkan waktu beberapa tahun sebelum menghasilkan kapasitas secara penuh.

Karena itu, investasi yang disetujui SK hynix merupakan bagian dari perencanaan kapasitas jangka menengah dan panjang, bukan penambahan pasokan yang langsung tersedia di pasar.

Ekspansi ini juga berlangsung ketika produsen memori lain meningkatkan belanja modal untuk mengantisipasi kebutuhan AI.

Micron Technology, misalnya, pada Juli 2026 menaikkan rencana investasi manufaktur dan teknologi di Amerika Serikat menjadi lebih dari US$250 miliar hingga 2035, dengan permintaan memori untuk era AI sebagai salah satu pendorongnya.

Bagi SK hynix, investasi 54,3 triliun won tersebut memperluas kapasitas produksi DRAM dan NAND sekaligus memperkuat basis manufaktur perusahaan di Korea Selatan.

Yongin diarahkan untuk mendukung produksi memori DRAM generasi lanjut, termasuk HBM, sedangkan Cheongju akan memperluas kapasitas NAND.

Pembangunan kedua fasilitas akan berlangsung bertahap mulai 2027, dengan target kesiapan cleanroom antara akhir 2028 hingga pertengahan 2029.

Jadwal tersebut menjadi bagian dari rencana ekspansi kapasitas SK hynix hingga 2031 di tengah kebutuhan memori yang terus berkembang untuk pusat data dan infrastruktur AI.

Baca Juga: Buntut Perang Iran: Industri Semikonduktor Korea Selatan Terguncang, Ganggu Kinerja Samsung dan SK Hynix

Read Entire Article
Berita Olahraga Berita Pemerintahan Berita Otomotif Berita International Berita Dunia Entertainment Berita Teknologi Berita Ekonomi